今天小编要和大家分享的是P型半导体特点 P型半导体形成原理，接下来我将从特点，形成原理，这几个方面来介绍。
P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
特点
半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为p型半导体。
“p”表示正电的意思，取自英文positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的(即电荷载体)主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是p型半导体。
由于p型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故p型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子(空穴)的浓度就越高，导电性能就越强。
形成原理
要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成p型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的p型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。
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