今天小编要和大家分享的是电源,新能源相关信息,接下来我将从详细分析TTL与非门电路各部分功能,在使用或非门或与非门时,对多余输入端的处理方法有什么区别?这几个方面来介绍。

电源,新能源相关技术文章详细分析TTL与非门电路各部分功能在使用或非门或与非门时,对多余输入端的处理方法有什么区别?

电源,新能源相关技术文章详细分析TTL与非门电路各部分功能

TTL与非门(TTL推挽式与非门)是TTL集成逻辑门的一种,主要由三极管和二极管构成。如图(a)所示,它由输入级,中间级,输出级三部分组成。TTL与非门的优点在于输出阻抗低,带负载能力强,工作速度快。下面我们详细分析电路各部分功能。

规定输入输出电位小于0.8V为低电平,大于2V为高电平。电路三极管为NPN型,NPN型三极管(T1为多发射极NPN三极管)构造如图(b)所示,一般三极管有以下特性:

♦当VBE》0.7V时,称发射结施加正偏电压,三极管导通;当VBE《0.7V时,称发射结施加反偏电压,三极管截止。

♦当VBC》0.4V时,称集电结施加正偏电压;当VBC《0.4V时,称集电结施加反偏电压。

♦三极管导通时,BE间压降为正偏电压0.7V,且电路满足电流关系:Ie=Ib+Ic。

♦三极管有四种工作状态:

1、放大区:发射结施加正偏电压,集电结施加反偏电压。此时满足电流关系: Ic=β•Ib。β为电流放大倍数,一般介于50~200之间。该电流关系用流控电流源等效表示,Ic与集电极所加电压大小无关,仅随Ib微小变化而显著变化。

2、饱和区:发射结施加正偏电压,集电结施加正偏电压。此时VCE《0.3V(VBC=VB- VC= VE+0.7-VC》0.4V)。电流关系为Ic《β•Ib,可以理解为滑动变阻器阻值到达最小值,然而也无法使Ic=β•Ib。

3、截止区:发射结与集电极都施加反偏电压,三极管截止,集电极与发射极之间等效为开路。

4、倒置区:发射结施加反偏电压,集电结施加正偏电压。此时三极管倒置,发射极相当于原来的集电极,集电极相当于原来的发射极,它也有自己的放大,饱和,截止状态。

下面开始切入正题:

一、当A,B至少有一个为低电平(发射极e输入电压小于0.7V)时,由于T1基极通过R1接电源,故T1导通(假设T1截止,电路开路,VB1=5V,发射极存在正偏电压,则T1导通),由于导通压降为0.7V,所以基极

电位被钳在VB1《1.5V(低电平+导通压降)。假设T2截止,所以T1集电极端至T2基极间等效于开路,使得VB2《0.8V(发射极的电位)。

T3如果要导通,则T2也要同时导通,并且VB2应该至少要1.4V(两个三极管串联导通压降),这与之前分析出的VB2矛盾,因此,T2与T3都截止。

T2截止后,T2集电极与电源间为开路,T4基极通过R2接电源,故T4导通(导通分析同T1),压降为1.4V(三极管压降+二极管压降),而T3截止,地没有接入,因此Y≈5-1.4=3.6V,为高电平。

二、当A,B都为高电平时,假设此时发射结电压正偏,此时由于T2与T3导通(假设未导通,T1集电极端至T2基极间开路,VB2等于A,B输入的高电平,大于导通压降1.4V,因此导通),使得VB1钳在2.1V(0.7V•3)。

这样的话,发射结的电压就反偏了。但是集电结仍是正偏。所以当输入高电平时,T1便处于倒置区。

再来分析T1的集电极(现在充当了发射极的功能)电流,由于倒置,电流公式变为:Ic=Ib+Ie》Ib。Ib=(5-VB1)/4k=3.9/4k≈1mA。所以T2基极电流约为1mA,假设T2处于放大区,那么集电结电流等于βIb,理论上至

少应该有50mA吧,但实际上,通过粗略计算(暂不考虑T4所在之路的分流与T2的CE压降),5/1.6k≈3mA,这个电流值远小于50mA,根据之前的介绍,可知T2处于饱和区,这样的话,CE压降小于0.3V,VB4达

不到1.4V,T4与二极管D都截止。

同T3的分析,T4也处于饱和状态,则Y=0.3V(CE饱和压降),为低电平。

以上分析是参考一些资料后的个人理解,有错误之处请谅解!

关于电源,新能源就介绍完了,您有什么想法可以联系小编。

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