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模拟技术相关技术文章基于L6384不对称半桥驱动芯片实现不对称半桥隔离驱动电路的设计
引言
随着电力半导体器件的发展，出现了多种全控型器件，其中MOSFET以其开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点成为开关电源中最常用的功率开关器件之一。同时，随着软开关技术的不断发展，具有结构简单、所用元器件少、电压应力小等优点的不对称半桥变换器的应用也越来越广泛。而两路互补导通的驱动电路的设计是不对称半桥变换器设计中的一个重要环节。本文介绍了几种常用的不对称半桥MOSFET驱动电路，分析了各电路的优点和适用场合，并提出其不足之处。最后本文设计了一种新型的不对称半桥隔离驱动电路，通过样机实验，证明这种驱动电路不仅结构简单、设计合理，而且能够良好地实现不对称半桥电路的驱动。
1 几种不对称半桥驱动电路介绍及分析
1．1 非隔离的不对称半桥驱动电路
图1为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低，适用于不要求隔离的小功率开关设备。其中一路直接接到下管，另外一路经反向器反向后驱动上管。RP1，RP2用于调节死区时间。
1．2 正激式不对称半桥隔离驱动电路
文献提出一种正激式不对称半桥隔离驱动电路，如图2所示。
以正向电路为例，脉冲信号通过高频脉冲变压器耦合去驱动功率MOSFET管，次级脉冲电压为正时，MOSFET导通，在此期间VT3截止，由其构成的泄放电路不工作。当次级脉冲电压为零时，则VT3导通，快速泄放MOSFET栅极电荷，加速MOSFET的截止。R7是用于抑制驱动脉冲的尖峰，R9，VD3，R11，VD5，R13可以加速驱动并防止驱动脉冲产生振荡。 和与它相连的脉冲变压器绕组共同构成去磁电路。
该电路实现了隔离，且能输出较好的驱动波形。但是也存在一些不足之处：①结构复杂，需要双电源供电(±12V)；②元器件较多，特别是需要两个隔离变压器，不仅占用较大空间，而且增加电路成本。