今天小编要和大家分享的是模拟技术相关信息，接下来我将从基于宽带巴伦设计的3GHz至20GHz高性能集成混频器，节能中频炉专用变压器这几个方面来介绍。
模拟技术相关技术文章基于宽带巴伦设计的3GHz至20GHz高性能集成混频器
作者：ADI公司 - Xudong Wang、Bill Beckwith、Tom Schiltz、 Weston Sapia 和 Michael Bagwell
摘要
本文介绍仅需0 dBm LO驱动的宽带3 GHz至20 GHz SiGe无源混频器。新巴伦结构是实现宽RF带宽的关键创新。针对IF频段应用也采用相同的巴伦拓扑，支持300 MHz至9 GHz的宽IF。该高性能双平衡混频器可用于上变频或下变频。该混频器采用2 mm × 3 mm、12引脚小型QFN封装，提供23 dBm IIP3和14 dBm P1dB。采用3.3 V电源供电时，混频器功耗为132 mA。
简介
宽带混频器广泛应用于多功能无线收发器、微波收发器、微波回程、雷达和测试设备。宽带混频器使得在具有各种无线电参数的动态可编程性的无线电架构中使用单个混频器成为可能。
已经证明，CMOS和BiCMOS等先进硅技术能够在相对窄带应用中实现高性能混频器。因此宽带混频器最期待的实现方式是使用集总元件或其他兼容IC制造技术和几何形状的结构制成。平衡混频器是首选拓扑结构，因为与非平衡混频器相比，它们在线性、噪声系数和端口到端口隔离方面具有更好的整体性能。巴伦是单平衡混频器和双平衡混频器中用于在平衡和非平衡配置之间转换RF、LO和IF信号的关键组件。能够在标准IC铸造工艺中集成巴伦至关重要，这样才能生产出宽带集成混频器。
本文介绍一种可以在硅、GaAs或任何其他集成过程中轻松实现的创新巴伦结构。这种巴伦拓扑的带宽比传统巴伦结构更宽。在0.18 μm SiGe BiCMOS工艺中，使用宽带巴伦设计一款3 GHz至20 GHz高性能混频器。
宽带巴伦
混频器最重要的性能参数包括转换增益、线性度、噪声系数和工作带宽。集成混频器中使用的巴伦对所有这些混频器的性能都有重大影响。集成巴伦的关键性能包括工作频率范围、插入损耗、幅度/相位平衡、共模抑制比（CMRR）和物理尺寸。
集成电路应用中的两种常见巴伦结构是传统平面变压器巴伦1，2和Marchand巴伦。3，4这两种巴伦在窄带应用中都有良好的性能。平面变压器巴伦由两个紧密耦合的变压器组成。电感的自感和模拟谐振频率是带宽的两个主要限制因素。自感限制低频端的带宽，非平衡和平衡终端的寄生电容和不对称终端限制高频端的带宽。Marchand巴伦由四条四分之一波长传输线组成，通常需要在芯片上占用大量空间。在集成电路中利用交错变压器布局，演示了微型Marchand巴伦。每条线段的电气长度要求限制了Marchand巴伦的带宽。当电气长度偏离所需的四分之一波长时，振幅和相位平衡就会降低。通常，设计良好的变压器巴伦或Marchand巴伦可以覆盖3×至4×最大-最小频率比的频率范围，且性能合理。