集成电路芯片工艺流程
功率晶闸管工艺流程
一次氧化---一次光刻（正反面）---P型预扩散---P型再扩散---镓预扩（硼预扩）--再扩散—浓硼光刻（正反面）---硼预扩散---硼再扩散---发射光刻（正反面）---磷预扩散---磷再扩散—台面光刻（正反面）--台面腐蚀---SIPOS钝化—玻璃钝化---引线光刻（正反面）---金属沉积---金属光刻（正反面）---合金---背面金属沉积—真空合金---分片测试—划片出厂。
保护器件工艺流程：
1：Sidactor(放电管)工艺流程：
一次氧化-一次光刻（正反面）--P型掺杂—再扩散—发射光刻（正反面）-磷预扩—再扩散—引线光刻（正反面）---金属沉积---金属光刻（正反面）---合金---测试---划片出厂
2：TVS（瞬态抑制二极管）工艺流程：
一次氧化---镓预扩---再扩散---硼预扩---再扩散---台面光刻（单面或双面）---SIPOS—玻璃钝化---金属沉积---热处理---测试---划片出厂