尽量选用内部的flash来存储数据，内部flash的读写速度快，可靠性高。
如果用外置的flash或者是eeprom进行存储，flash一般是spi接口，考虑到电磁干扰，MCU的响应速度等问题，即使是采用MCU的硬件SPI模块进行通信，SPI的clock时钟最高也就1MHz左右，发送1个字节的数据大概需要10us，不考虑擦除flash的时间，存储100个字节的数据，如果考虑可靠性，需要读取验证，大概需要5ms左右的时间。
而eeprom一般采用IIC接口，与SPI接口类似，以高速IIC进行通信，存储100个字节的数据至少需要5ms左右的时候。
FLASH的特点是写数据只能由1改写为0，由0改写为1需要整个page，或者整个sector，或者整个block进行擦除。
以STM32F051为例，一个page为1kByte，一个block为64kByte，擦除一个page大概耗时约20ms，在整个擦除过程中，整个MCU是挂机的，也就是不执行任何操作。而FLASH的写操作比较快，大概1个Byte耗时1us。
需要有掉电检测电路，掉电检测需要通过检测给MCU供电的LDO或者DC-DC的前级电压。
比如MCU通过12V-3.3V的LDO供电，则需要通过检测12V的电压来判断是否断电。
将12V通过电阻分压之后，接入MCU的A/D检测口来判断是否掉电。
MCU供电的LDO或者DC-DC的前级并联足够的电容，以确保电容的供电能保证MCU将数据写入。
可以通过以下的步骤确认电容的大小：
评估由掉电时前级电压供电的工作电流大小，MCU一旦检测到掉电，需要切掉耗电大的输出，比如控制继电器输出的I/O口需要立即断开。比如20mA。
确认LDO的最低输入电压，比如5.3
确认判断掉电的电压，比如10V，确认掉电开始到LDO最低输入电压之间的压差，比如4.7V
确认写入所有数据所需要的时间，比如20ms。
根据公式计算所需电容的容量，C=I*T/U=20mA*20mS/4.7V=85uF。可选择100uF的电容。
MCU一旦检测到掉电，需要切掉耗电大的输出，比如控制继电器输出的I/O口需要立即断开。
在正常工作时，事先准备一块存储空间，将其擦除成为0xFF。
检测到掉电之后，可以不需要擦除FLASH内容，可以直接写入数据，可以节省大量的时间。
纽扣电池的方式是不丢失数据，不需要保存到EEPROM。法拉电容可以用来不丢失数据（一般可以保存一个月），当然也可以用来存储的EEPROM, 注意不要美每时每刻都保存的EEPROM,这样错率，寿命都会降低。