今天小编要和大家分享的是射频,功率放大,智能硬件相关信息,接下来我将从射频前端功率放大偏置电路模块,l波段射频功率放大器制作这几个方面来介绍。

l波段射频功率放大器制作

l波段射频功率放大器制作

偏置电路:有扫描结果可以得到管子工作点的各项参数。为保证管子始终工作在线性放大区,选择直流工作点为VDS=5V,IDS=0.8A,VGS=-0.4V。 由模拟电子技术的知识可得,偏置电路可有两种形式:自偏压电路和分压式自偏压电路。

自偏压电路比较简单,但是当静态工作点确定之后,VGS与ID就确定了,因而R的选择的范围很小。分压式自偏压电路是在其基础上加接分压电阻后组成的。漏极电源VDD经过分压电阻R5和R1分压后,通过R4供给栅极电压VG=R1*VDD/(R1+R5),同时漏极电流在源极电阻R3上也产生压降VS=ID*R3,可知静态时加在FET上的栅源电压? 。

射频前端功率放大偏置电路模块

图中C1、C2为隔直电容,C3去耦电容,L1、L2为去耦电感。因为在大信号仿真时为了提高电源效率,故选择Vdd的值比较小。R3、R4的值比较小也是为了降低消耗在其上的直流功率,而提高电源的效率。

关于射频,功率放大,智能硬件就介绍完了,您有什么想法可以联系小编。

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