影响自举电容取值的因素
影响自举电容取值的因素包括：上桥MOSFET的栅极电荷QG、上桥驱动电路的静态电流IQBS、驱动IC中电平转换电路的电荷要求QLS、自举电容的漏电流ICBS(leak)。
计算自举电容值
自举电容必须在每个开关周期内能够提供以上这些电荷，才能保持其电压基本不变，否则VBS将会有很大的电压纹波，并且可能会低于欠压值VBSUV，使上桥无输出并停止工作。
电容的最小容量可根据以下公式算出：
其中，VF为自举二极管正向压降，VLS为下桥器件压降或上桥负载压降，f为工作频率。
影响自举电容取值的因素
影响自举电容取值的因素包括：上桥MOSFET的栅极电荷QG、上桥驱动电路的静态电流IQBS、驱动IC中电平转换电路的电荷要求QLS、自举电容的漏电流ICBS(leak)。
计算自举电容值
自举电容必须在每个开关周期内能够提供以上这些电荷，才能保持其电压基本不变，否则VBS将会有很大的电压纹波，并且可能会低于欠压值VBSUV，使上桥无输出并停止工作。
电容的最小容量可根据以下公式算出：
其中，VF为自举二极管正向压降，VLS为下桥器件压降或上桥负载压降，f为工作频率。