电流互感器特有的试验项目
1.变比试验
方法1：电流法
由调压器及升流器等构成升流回路，待检TA一次绕组串入升流回路;同时用测量用TA0和交流电流表测量加在一次绕组的电流I1、用另一块交流电流表测量待检二次绕组的电流I2，计算I1/I2的值，判断是否与铭牌上该绕组的额定电流比(I1n/I2n)相符。见图4.1
图4.1 电流互感器变比测量接线图
图4.2 电压法
方法2：电压法
待检CT一次绕组及非被试二次绕组均开路，将调压器输出接至待检二次绕组端子，缓慢升压，同时用交流电压表测量所加二次绕组的电压U2、用交流毫伏表测量一次绕组的开路感应电压U1，计算U2/U1的值，判断是否与铭牌上该绕组的额定电流比(I1n/I2n)相符。
方法3：电流互感器变比测试仪(互感器伏安特性测试仪)，按说明书操作。
注意事项：
方法1：测量某个二次绕组时，其余所有二次绕组均应短路、不得开路，根据待检CT的额定电流和升流器的升流能力选择量程合适的测量用CT和电流表;
方法2：二次绕组所施加的电压不宜过高，防止CT铁心饱和
方法3：测量某个二次绕组时，其余所有二次绕组均应短路、不得开路，根据待检CT的额定电流和升流器的升流能力选择合适的测量电流。
结果判断：
与铭牌和标志相符。
2.正立式电容型电流互感器介质损耗因数及电容量测量
测量接线见图4.2。
图4.2 正立式电流互感器介质损耗测量接线
3.倒立式电流互感器介质损耗因数及电容量测量
(1)SF6绝缘电流互感器不要求测量介质损耗因数;
(2)当二次绕组的金属罩和二次引线金属管内部接地而零屏外引接地时只能采用反接法进行测量;
(3)当二次绕组的金属罩和二次引线金属管与零屏同时外引接地时优先采用正接法进行测量。
判断二次引线金属罩是否在内部接地的方法：如果用正接法测出的电容量比反接法测出的电容量小很多，就说明二次引线金属管已在 内部接地。
注意事项及结果判断：
a.本试验应在天气良好，试品及环境温度不低于+5℃的条件下进行;
b.测试前，应先测量绕组的绝缘电阻;
c.测量时应记录空气相对湿度、环境温度;
d.与历次试验结果和同类设备的试验结果相比无显著差别;
e.绕组tanδ不应大于规程规定值;
f.当测量电容型电流互感器末屏tanδ时，其值不应大于2%。
4.一次绕组交流耐压试验
将二绕组短接并与外壳连接后接地，在一次侧加压。采用调压器及串联谐振装置的试验接线见图4.3。
图4.3 电流互感器一次绕组交流耐压试验
注意事项：
a.耐压试验前确认试品绝缘电阻合格;
b.充油和充气互感器必须静置规定的时间(通常安装后应静止24小时以上);
c.绝缘油试验合格;
d.气体试验合格，耐压在额定气压下进行
e.耐压试验前后，应检查有否绝缘损伤;
f.外施交流耐压试验电压的频率应为45-65HZ;
g.交流耐压试验时加至试验标准电压后的持续时间，凡无特殊说明者，均为1min;
h.外施耐压试验的电压值应在高压侧进行测量，并应测量电压峰值(试验电压为峰值/ );
i.测量时应记录空气相对湿度、环境温度;
j.拆开试验设备高压引线，测试被试绕组对其他绕组及地绝缘电阻，并与耐压前测试值比较，耐压后绝缘电阻不应降低。
k.试验结束后应对被试品放电接地。
试验要求：
a.试验过程不应发生闪络、击穿现象;
b.外施耐压试验前后，绝缘电阻不应有明显变化。
5.励磁特性(伏安特性)曲线
(1)待检CT一次及所有二次绕组均开路;
(2)将调压器或试验变压器的电压输出高压端接至待检二次绕组的一端，待检二次绕组另一端通过电流表(或毫安表，视量程需要)接地、试验变压器的高压尾端接地，见图4.4;
(3)接好测量用PT、电压表;
(4)缓慢升压，同时读出并记录各测量点的电压、电流值。
(5)依次测量其他二次绕组的励磁特性曲线。
图4.4 励磁特性测量
注意事项：
a.试验时应先去磁(可加交流电压平缓升降几次)，然后将电压逐渐升至励磁特性曲线的饱和点即可停止;
b.如果该绕组励磁特性的饱和电压高于2kV，则现场试验时所施加的电压一般应在2kV截止，避免二次绕组绝缘承受过高电压;
c.试验时记录点的选择应便于计算饱和点、便于与出厂数据及历史数据进行比较，一般不应少于5个记录点。
试验结果判断：
与历次试验结果或与同类设备的试验结果相比无显著差别。
图4.5 电流互感器的励磁特性曲线
试验数据的判断
5.1 对试验数据的判断方法
(1)与出厂试验数据或安装交接试验数据比较应无明显的变化。
(2)与同类产品比较应无明显的差异。
(3)与历年试验数据比较应无显著的差别。
(4)试验结果应符合相关规程的规定。
5.2 数据异常的可能原因
(1)绝缘电阻下降
a.受潮;
b.外套脏污;
c.绝缘老化变质;
d.局部绝缘破损或击穿。
(2)介质损耗因数增大
a.受潮或外套脏污;
b.外电场干扰;
c.试验引线或接地线接触不良造成的附加损耗;
d.电容屏半击穿状态形成的附加电阻;
e.内部绝缘存在局部放电缺陷;
f.绝缘老化、变质造成介质损耗增加;
g.介质损耗随试验电压的下降而增加，说明电容屏绝缘材料有杂质。
(3)电容量增加
a.个别电容元件击穿或电容屏层间绝缘存在击穿问题;
b.电容元件或电容屏受潮;
c.采用反接线测量时高压引线太长(引线对地电容大)。
(4)电容量减小
a.电容元件之间的连接线或电容屏引线断线或接触不良;
b.油浸式电容器或互感器内部缺油。
(5)直流电阻异常
a.线圈存在匝间短路;
b.线圈存在焊接或接触不良、断线等问题。
(6)励磁特性异常
a.励磁电流增加：绕组存在匝间短路，此时变比也会发生变化;
b.励磁电流变小：绕组存在断线或虚焊问题。