今天小编要和大家分享的是模拟技术相关信息，接下来我将从PMOS开关管的工作原理和如何进行选择，全新原装进口 mosfet场效应管 k3569这几个方面来介绍。
模拟技术相关技术文章PMOS开关管的工作原理和如何进行选择
在电路中常见到使用MOSFET场效应管作为开关管使用。下面举例进行说明。
图1 如图1所示，使用了P沟道的内置二极管的电路，此处二极管的主要作用是续流作用，电路是锂电池充放电电路，当外部电源断开时采用Li电池进行内部供电，即+5V电源断开后Q1的G极为低电平，S极和D极导通，为系统供电。图中D2和D3的一方面是降压的作用，使5V降为4V（D2为锗管压降为0.2V，D3硅管压降为0.7V）。
图2 图2 工作原理同图1，也使用了内置续流二极管的P沟道MOSFET
图3 图3使用了内置续流二极管的N沟道的MOSFET
此电路是应用于开关时序的，当3.3V_SB为低电平时Q18、Q19不导通，5V时钟数据转3.3V时钟数据不导通；当3.3V_SB为高电平时5V时钟数据转3.3V时钟数据。
选用N沟道还是P沟道确定额定电流确定热要求：首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。
必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
