今天小编要和大家分享的是咪头主要技术指标 咪头分类,接下来我将从咪头的主要技术指标,咪头的分类,驻极体咪头的工作原理,这几个方面来介绍。

咪头主要技术指标 咪头分类

咪头,是将声音信号转换为电信号的能量转换器件,是和喇叭正好相反的一个器件(电→声)。是声音设备的两个终端,咪头是输入,喇叭是输出。又名麦克风,话筒,传声器,咪胆等。

咪头主要技术指标,咪头分类,

咪头的主要技术指标

咪头的测试条件;MIC的使用应规定其工作电压和负载

1、消耗电流:即咪头的工作电流

主要是FET在VSG=0时的电流,根据FET的分档,可以做成不同工作电流的传声器。但是对于工作电压低、负载电阻大的情况下,对于工作电流就有严格的要求,由电原理图可知

VS=VSD+ID×RLID=(VS-VSD)/RL

式中IDFET在VSG等于零时的电流

RL为负载电阻

VSD,即FET的S与D之间的电压降

VS为标准工作电压

总的要求100μA〈IDS〈500μA

2、灵敏度:单位声压强下所能产生电压大小的能力。

单位:V/pa或dBV/pa有的公司使用是dBV/μBar

-40dBV/pa=-60dBV/μBar

0dBV/pa=1V/pa

声压强pa=1N/m2

3、输出阻抗:基本相当于负载电阻RL(1-70[%])之间。

4、方向性及频响特性曲线:

a、全向:MIC的灵敏度是在相同的距离下在任何方向上相等,全向MIC的结构是pCB上全部密封,因此,声压只有从MIC的音孔进入,因此是属于压强型传声器。

频率特性图:

b、单向单向MIC具有方向性,如果MIC的音孔正对声源时为0度,那么在0度时灵敏度最高,180度时灵敏度最低,在全方位上呈心型图,单向MIC的结构与全向MIC不同,它是在pCB上开有一些孔,声音可以从音孔和pCB的开孔进入,而且MIC的内部还装有吸音材料,因此是介于压强和压差之间的MIC。

频率特性图:

c、消噪型:是属于压差式MIC,它与单向MIC不同之处在于内部没有吸音材料,它的方向型图是一个8字型。

频率特性:

5、频率范围:

全向:50~12000Hz20~16000Hz

单向:100~12000Hz100~16000Hz

消噪:100~10000Hz

6、最大声压级:是指MIC的失真在3[%]时的声压级,声压级定义:20μpa=0dBSpL

MaxSpL为115dBSpLASpL声压级A为A计权

7、S/N信噪比:即MIC的灵敏度与在相同条件下传声器本身的噪声之比,详见产品手册,噪声主要是FET本身的噪声。

咪头的分类

1、从工作原理上分:

炭精粒式

电磁式

驻极体电容式(以下介绍以驻极体式为主)

压电晶体式,压电陶瓷式

二氧化硅式等

2、从尺寸大小分,驻极体式又可分为若干种。

Φ9.7系列产品Φ8系列产品Φ6系列产品

Φ4.5系列产品Φ4系列产品Φ3系列产品

每个系列中又有不同的高度

3、从咪头的方向性,可分为全向,单向,双向(又称为消噪式)

4、从极化方式上分,振膜式,背极式,前极式

从结构上分又可以分为栅极点焊式,栅极压接式,极环连接式等

5、从对外连接方式分

普通焊点式:L型

带pIN脚式:p型

同心圆式:S型

驻极体咪头的工作原理

由静电学可知,对于平行板电容器,有如下的关系式:C=ε.S/L……①即电容的容量与介质的介电常数成正比,与两个极板的面积成正比,与两个极板之间的距离成反比。

另外,当一个电容器充有Q量的电荷,那么电容器两个极板要形成一定的电压,有如下关系式:C=Q/V……②

对于一个驻极体咪头,内部存在一个由振膜,垫片和极板组成的电容器,因为膜片上充有电荷,并且是一个塑料膜,因此当膜片受到声压强的作用,膜片要产生振动,从而改变了膜片与极板之间的距离,从而改变了电容器两个极板之间的距离,产生了一个Δd的变化,因此由公式①可知,必然要产生一个ΔC的变化,由公式②又知,由于ΔC的变化,充电电荷又是固定不变的,因此必然产生一个ΔV的变化。

这样初步完成了一个由声信号到电信号的转换。

由于这个信号非常微弱,内阻非常高,不能直接使用,因此还要进行阻抗变换和放大。

FET干扰而设置的,可以分别对两个射频频段的干扰起到抑制作用。

RL:负载电阻,它的大小决定灵敏度的高低。

VS:工作电压,MIC提供工作电压。

CO:隔直电容,信号输出端。

关于咪头,电子元器件资料就介绍完了,您有什么想法可以联系小编。

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