三极管8550,S8550,SS8550何不同
不一样的！
确切的说，这三个管子只有SS8550的集电极电流可以达到1A以上，剩下的最多500mA。元器件手册上都说的是可以到1.5A，但实际上只有SS8550货真价实，剩下的到了500mA就开始发烫了。
三种管子的β值和工作频率差不多
如果工作电流不超过500mA的话，三种可以互换。
8550三极管三个引脚ebc
550三极管三个引脚ebc的接法：
1.1脚=E（发射极，带箭头的那个），如图所示：
2.2脚=B（基极，跟R13相接的那个），如图所示：
3.3脚=C（集电极，与E相对的那个），如图所示：
扩展资料
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
参考资料百度百科-三极管
8550三极管参数
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃ to +150℃
和8050（NPN）相对
主要用途：
开关应用
射频放大
8550三级管参数:类型:开关型; 极性:PNP; 材料:硅; 最大集电极电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集电极发射电压（VCEO）:25; 频率:150MHz
PE8550 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
MC8550 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
8050S 8550S S8050 S8550 参数：
耗散功率0.625W（贴片：0.3W）
集电极电流0.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350
C8050 C8550 参数：
耗散功率1W
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档
放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300
8050SS 8550SS 参数：
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档
放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400
引脚排列有EBC ECB两种
SS8050 SS8550 参数：
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档
放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300
引脚排列多为EBC
UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC
8050S 8550S 引脚排列有ECB
这种管子很少见
参数：
耗散功率1W
集电极电流0.7A
集电极--基极电压30V
集电极--发射极击穿电压20V
特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出
放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档
C：120-200 D：160-300 E：280-400
三极管S8550可用什么三极管代换
S8550平常可以使用9012、2N5401和2N2907这些PNP管直接代换，这几种三极管的功率、电压都在S8850的允许±值内，而且外形及引脚排列都一样，是完全可以替换的。
在特定情况下，如实现检波或者作为开关等功能时，可用9012、9015、2N5551、3DG12等代替，在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能进行正常工作。
扩展资料：
三极管的选型替换：
1.首先要进行参数对比，如果不知道参数可以先在网络搜索他的规格书。
2.知道参数，尤其是BVCBO，BVCEO，BVEBO，HFE，ft，VCEsat参数。通过各个参数的比较，找相似的产品。
S8550特点：
1.耗散功率 PCM ：0.625 W（环境温度25℃条件下）；
2.集电极电流 ICM ：0.5 A；
3.集电极-基极电压 V（BR）CBO ： 40 V。
参考资料来源：百度百科—三极管
8550三极管可以用哪个代替
三极管8550是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压，大电流，小信号的PNP型硅三极管。最大集电极电流为1.5 A。
8550三级管参数：类型：开关型；极性:PNP；材料:硅；最大集电极电流(A):0.5 A；直流电增益:10 to 60；功耗:625 mW；最大集电极发射电压（VCEO）:25；频率:150MHz。
扩展资料：
三极管的放大原理：
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
参考资料来源：百度百科——三极管8550
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