在IGBT的栅极电路中，主要考虑的因素包括栅极电压U的正、负及栅极电阻R的大小。它们对IGBT的导通电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力及等参数均有不同的程度的影响。欲了解更多信息请登录电子发烧友网(http://www.elecfans.com)
2020-09-11 20:09:40
IGBT的保护措施，主要包括过压保护和过流保护两类。使用中，对于IGBT因关断而产生的开关浪涌电压，可以采用适当的缓冲回路抑制它，使器件免于损坏。欲了解更多信息请登录电子发烧友网(http://www.elecfans.com)
2020-09-11 20:09:32
逆变器中的开关元件选用VMOS或IGBT时，组成的充电电路，比用晶闸管作开关元件的充电电路的工作频率高。
2020-09-11 20:04:37
IGBT控制电路原理图如下图所示，本电路可用于中频加热系统。 其中，LM565是集成锁相环电路，其功能是提供频率稳定的方波信号，通过调节电位器VR1即可改变LM565的输出频率。LM565的输出信号经过施密特反相器74HC14连接到D触发器74HC74的时钟端，D触发器的输出经过整形后加到与门74HC08的输入端，从输出端OUT1、OUT2、OUT3、OUT4即可得到2路互补方波信号。其中OUT1
2020-09-10 00:03:44
IGBT过流保护电路如下图所示，本电路可用于中频加热系统。 其中运放C814组成电压跟随器，其输入是来自电流互感器的输出，两个电压比较器C271组成窗口电压比较器，比较器的输出经施密特反相器连接到与门的输入端。当IGBT没有过流时，C814的输入电压比较低，窗口电压比较器输出为高电平，因此EN信号为高电平，使IGBT驱动信号有效，反之，当IGBT过流时，EN信号变为低电平，封锁了IGBT驱动信号而
2020-09-10 00:03:38
J S 为软启动控制,避免上电时浪涌电流对整流模块的冲击。IGBT变频电源电路:
2020-09-09 10:02:15
V1—V4组成桥式逆变器，两端并联RCD吸收支路，L为限流电感，Co为储能电容，Lo用于限制Co对负载氙灯的放电电流，保护氙灯。此处将限流电感L放在变压器原边。这除了能实现功率管的零电压开通外，例如在V1，V4关断后，由于L的续流作用，D2，D3导通，则V2，V3可实现零电压开通;还可分担变压器原边绕组上的压降，减少变压器匝数，进而减小变压器磁心。全桥型IGBT脉冲激光电源电路:
2020-09-08 15:02:05
当电源输出过载或者短路时，IGBT的Vce值则变大，根据此原理可以对电路采取保护措施。对此通常使用专用的驱动器EXB841，其内部电路能够很好地完成降栅以及软关断，并具有内部延迟功能，可以消除干扰产生的误动作。其工作原理如图4所示，含有IGBT过流信息的Vce不直接发送到EXB841的集电极电压监视脚6，而是经快速恢复二极管VD1，通过比较器IC1输出接到EXB841的脚6，从而消除正向压降随电流
2020-09-08 10:02:29
IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。本文介绍了绝缘栅双极晶体管（IGBT）在不间断电源系统中的应用情况，分析了IGBT 在UPS 中损坏的主要原因和实际应用中应注意的问题。在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IG
2020-09-05 15:07:46
IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。本文介绍了绝缘栅双极晶体管（IGBT）在不间断电源系统中的应用情况，分析了IGBT 在UPS 中损坏的主要原因和实际应用中应注意的问题。在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IG
2020-09-04 20:05:51