今天小编要和大家分享的是IGBT结构，接下来我将从结构，这几个方面来介绍。结构下图所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一
2021-10-12 19:00:02
PT-IGBT与NPT-IGBT的区别1、PT-IGBT图1实际上是PT型1GBT芯片的结构图，图2（c）是其导电原理。所谓PT（PunchThrough，穿通型），是指电场穿透了N-漂移区（图1中③），电子与空穴的主要汇合点在N一区［图1（c）］。NPT在实验室实现的时间（1982年）要早于PT（1985），但技术上的原因使得PT规模商用化的时间比NPT早，所以第1代IGBT产品以PT型为主。P
2021-02-01 11:39:38
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000个单元（50V功率MOS-FET）或者50.000单元（1200VIGBT）。于晶体管相同的技术概念，MOSFET和IGBT芯片控制区有相近的结构。如图2和图3所示，基板是n-型半导体，在截止状态时n-区必须接纳空间电荷区。在n-型半导体上形成一个p导通型半导体环形槽，它掺杂浓度是中心高（p+），边缘
2021-02-01 09:16:31
SC1短路引发的振荡和SC2有所区别。图1给出了这两种典型振荡的实验结果。如图1a所示，在SC1短路过程中，在形成恒定短路电流后的很短时间内发生振荡且可以在栅极电压中观测到明显的电压振荡；然而，也可能在集-射极电压或者集电极电流产生振荡（图中没有显示）。SC2型短路振荡与此相似，但是振荡却发生在IGBT的退饱和阶段。因此，这时集-射极电压会上升。表1给出了影响IGBT短路振荡的参数。影响振荡产生的
2021-01-31 19:46:31
图1给出了一个最简单的解释开关特性的实例，它是降压变换器。IGBT器件T1通过双脉冲信号两次开通和关断。换流的变化率di/dt导通过电阻RGon来调节的，VCC是直流母线电压。在电容器、IGBT和二极管之间存在寄生的感应电感Ls1.。.3。在图2中给出了在IGBT（Driver）上的双脉冲控制信号，在IGBT上的电流波形和在二极管上的电流波形。当关断IGBT时。在电感认上的负载电流将切换至二极管。
2021-01-31 19:45:50
激光电源在激光应用系统中是非常重要的一部分内容，其性能指标，特别是功率和稳定性指标直接影响到激光应用的质量和效果。传统的激光电源采用可控硅作为功率开关器件，但是有很多弊端：（1）由于工频电力网50Hz的电流经整流后进入可控硅，可控硅触发频率为100Hz，故由于调整频率的限制，这种电源的工作稳定性不高。（2）这种电源的稳定性受电力网波动的影响较大。（3）可控硅的触发电路主要是控制触发相位角的变化，这
2021-01-31 17:45:50
通常，驱动单元要尽量靠近IGBT模块。很多IGBT模块有专门的区域用于安装驱动单元，图1给出了三个安装示例。这种布局具有多种优点，已成为逆变器的最佳装配选择。其优点如下：明确机械分布和寄生影响，逆变器中每个IGBT/驱动连接完全一样，这样器件的开关特性也相同；栅极引线最短，减少了寄生参数的影响，这样栅极引线的阻抗不仅小而且可以明确其大小；保护栅极通过密勒电容充电的电路（例如栅极钳位）紧靠栅极，所以
2021-01-31 17:16:14
2020年7月9日，德国慕尼黑讯】耐用性决定了模块在恶劣环境下的使用寿命和可靠性。特别是当暴露于硫化氢（H2S）中时，电子元件的寿命会受到很大的影响。为了应对这一威胁，英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）开发出了一项独特的保护功能。采用TRENCHSTOP™ IGBT4芯片组的EconoPACK™+模块是Econo系列中率先具备这一全新保护特
2021-01-30 18:09:38
分立元件构成的IGBT驱动电路
2020-09-16 15:06:04
IGBT绝缘栅极双极晶体管过压保护电路IGBT的栅极过压的原因1.静电聚积在栅极电容上引起过压。2.电容密勒效应引起的栅极过压。为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生，应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千欧的电阻，如上图所示。此电阻应尽量靠近栅极与发射极。
2020-09-16 15:05:58
IGBT在CO2气体保护焊电源中的电路原理图IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路图如图所示
2020-09-16 15:05:52
IGBT(NPT型结构)的寄生组件和等效电路
2020-09-16 15:05:39
IGBT开关等效电路和开通波形电路
2020-09-16 15:05:31
硬开关斩波电路中的IGBT的关断电压波形电路
2020-09-16 15:05:25
具有寄生晶体管的IGBT等效电路
2020-09-16 15:05:19
IGBT和续流二极管的功率模块单元电路(a)所示为单开关模块; (b)所示为两单元(半桥)模块; (c)所示为H桥(单相桥)模块; (d)所示为不对称H桥模块; (e)所示为三相桥(六单元或逆变桥)模块; (f)所示为斩波模块; (g)所示为斩波模块; (h)所示为三相桥GD加斩波GAL(制动斩波电路)模块; (i)所示为三单元模 块，由3组开关组成; (j)所示为单开关加集电极端串联二极管(反向
2020-09-16 15:05:13
两单元IGBT模块的寄生电感电路
2020-09-16 15:05:07
D型IPM的结构及IGBT的等效电路
2020-09-16 15:04:49
N沟道IGBT的简化等效电路和电气图形符号电路
2020-09-16 15:04:36
两个反向阻断型IGBT反向并联时的电路和关断波形电路
2020-09-16 15:04:30
IGBT的VCR(压控电阻)等效电路模型电路
2020-09-16 15:04:24
M57962L驱动大功率IGBT模块时的应用电路
2020-09-16 15:04:06
GA系列IGBT半桥、高端开关和低端开关型模块的内部接线电路
GA系列IGBT半桥、高端开关和低端开关型模块的内部接线电路
2020-09-16 15:02:51
IGD系列IGBT驱动器内部框电路
2020-09-16 15:01:34
H桥IGBT功率单元本文中的实验装置是一台单相 H 桥IGBT 功率单元，其拓扑结构如图1 所示。其中，电容C1、C2 各由四个6800 μF 电解电容并联组成，开关器件为三菱公司的半桥IGBT 模块CM300DY－24A。实验装置中直流母线的机械结构如图2 所示，图中的A～F 与图1 相应标注表示同一位置。其中，A 接直流电容正极，与之相连的母线称为正母线（为便于测量母线电流，分成正母线1 和正
2020-09-15 20:10:26
集成电路TLP250构成的IGBT驱动器及电路IGBT模块驱动及保护技术
2020-09-15 15:06:07
充放电型IGBT缓冲吸收电路为了使IGBT关断时的过电压能得能更有效的抑制并减小IGBT的关断损耗，通常都需给IGBT主电路设置关断缓冲吸收电路。
2020-09-15 15:05:55
下为DA962Dx系列原理图，参考下图可设计出最大可驱动300A/1700V的IGBT驱动板，落木源电子所生产的IGBT驱动板是在此基础上增加了更多保护、指示等附加功能。 下图为DA102Dx系列原理图，参考下图可设计出最大可驱动2400A/1700V的IGBT驱动板，落木源电子所生产的IGBT驱动板是在此基础上增加了更多保护、指示等附加功能。
2020-09-13 15:13:35
IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下，增加一个P+层发射极而行程pn，如图1-31所示，就构成IGBT。欲了解更多信息请登录电子发烧友网(http://www.elecfans.com)
2020-09-11 20:09:55
IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示，与GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制参数是栅源电压，而不是基极电流。欲了解更多信息请登录电子发烧友网(http://www.elecfans.com)
2020-09-11 20:09:48